OTSUKA 大塚电子 光谱椭偏仪 FE‑5000 系列
400-616-7676转3323
核心参数
光谱范围
250‑800 nm（紫外‑可见光）
光斑尺寸
φ1.2 mm（可选微小光斑组件）
入射角
45°‑90° 全自动可变入射角
测量速度
400 通道以上高速光谱采集
单次测量时间
＜60 s
样品尺寸
最大 200×200 mm（8 英寸晶圆）
光谱测试间隔
1 nm
膜厚测量准确度
0.05 nm（SiO₂标准样）
测量重复性
100 nm SiO₂标准样，再现性 0.01%
仪器介绍
OTSUKA 大塚电子 光谱椭偏仪 FE‑5000 系列
除了能够高精度薄膜分析的光谱镜片偏度外，我们还实现了自动调节角度测量机制，能够处理各种类型的薄膜。 除了传统的旋转光度计方法外，通过引入相位差板的自动安装和拆卸机构，提高了测量精度。
特色
能够测量紫外可见光（300~800nm）波长范围内的椭圆参数。
支持对纳米级多层薄膜的薄膜厚度分析
通过多通道光谱法对400多个通道的埃利普索光谱进行快速测量
支持通过可变反射角测量对薄膜进行详细分析。
通过添加光学常数数据库和配方注册功能提升操作性
测量项目
椭圆参数（tanψ， cosΔ）测量
光学常数分析（n：折射率，K：衰减系数）
薄膜厚度分析
测量目标
半导体晶圆：
栅氧化层薄膜、氮化物薄膜SiO
2，SixO y，SiN，SiON，SiNx，Al2O3，SiNxOy聚硅、ZnSe、BPSG、TiN
电阻的光学常数（波长色散）
化合物半导体
x加（1-x）作为多层薄膜，非晶硅
FPD
对准膜
各种新材料：
DLC（类碳金刚石）、超导薄膜、磁头薄膜
光学薄膜
TiO2，SiO2，防反射膜
光刻场：每个波长如
g线（436nm）、h线（405nm）、i线（365nm）等各波长的n、k值
核心参数：
| 项目 | FE‑5000 参数 |
|---|---|
| 测量原理 | 旋转检偏器法，相位差板自动装卸机构 |
| 波长范围 | 250‑800 nm（紫外‑可见光） |
| 可测膜厚 | 0.1 nm～1 μm，超薄膜解析 |
| 入射角度 | 45°‑90° 全自动可变角度（正弦杆驱动） |
| 测量光斑 | φ1.2 mm；可选微小光斑组件 |
| 可解析层数 | 多层膜拟合，输出膜厚、折射率 n、消光系数 k、椭偏参数 tanψ/cosΔOtsuka Ele... |
| 重复性 | 100 nm SiO₂标准样，再现性 0.01% |
| 检测速度 | 多通道 400 通道以上，单次测量 1 分钟以内完成 |
| 样品兼容 | 硅晶圆、玻璃、光学镜片、金属基底、硬质涂层、ITO 导电膜 |
产品详细介绍
FE‑5000 是大塚高端科研 / 量产级光谱椭偏仪，区别普通分光膜厚仪，椭偏仪擅长解析0.1nm 级别超薄膜、多层堆叠薄膜、光学常数 n/k 色散曲线。
自动相位差板装卸：改善弱吸收薄膜、极薄氧化层的解析精度，是本机型核心优势；全自动可变入射角，不用手动拆装光路配件。
多通道高速光谱采集，可做多层膜拟合、EMA 有效介质模型分析，评估界面层、混合组分占比。
FE‑5000 支持自动载台 + 晶圆 Loader，适配半导体 8 英寸晶圆批量检测；FE‑5000S 是紧凑型桌面版本，适合研发小样品。
软件自带材料光学常数库，支持测试配方 Recipe 保存，数据自动导出。
