OTSUKA 大塚电子加载端口兼容薄膜厚度测量系统GS‑300
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仪器介绍
OTSUKA 大塚电子加载端口兼容薄膜厚度测量系统GS‑300
特色
支持与Φ300mm EFEM单元备用端口集成
实现晶圆内嵌布线图案的模式对齐
满足半导体工艺的高通量需求
支持缺口对齐功能
小尺寸规格
测量案例研究
TSV嵌入图案晶圆研磨后硅厚度
Φ300mm尺寸的晶圆厚度
核心参数：
| 表单字段 | GS‑300 填写值 |
|---|---|
| 光谱范围 | 400‑1000nm（可见光‑近红外，取决于 SF‑3 传感器配置） |
| 光斑尺寸 | φ20μm 以上（显微干涉探头） |
| 入射角 | 垂直入射 0° |
| 测量速度 | 5kHz 高速采样 |
| 单次测量时间 | 单点≤1s；全域 Mapping 约 60s（6 万点） |
| 样品尺寸 | 最大 Φ300mm（12 英寸晶圆） |
| 光谱测试间隔 | 1nm |
| 膜厚测量准确度 | ±0.1μm（硅基底） |
| 测量重复性 | ≤0.01%（标准硅片） |
| 直射测量准确度 | 无此项参数☑勾选 |
产品详细介绍
GS‑300 是半导体 12 寸晶圆产线专用 Load‑Port 集成式全自动膜厚 Mapping 测量系统，可直接对接 Φ300mm EFEM 设备前端模块的备用加载端口，实现晶圆自动传片、缺口预对准、红外图案匹配定位、全域厚度分布扫描全自动化，无需人工上料。
硬件配置：R‑θXY 四轴高精度运动平台，X‑Y 重复定位≤2μm；红外对位相机，支持槽口缺口对准 + 晶圆内嵌 TSV 布线图案匹配对准，图形晶圆也可精准定位测量。
测量单元：主机搭载 SF‑3 系列光谱干涉厚度传感器，硅片测厚范围 6‑1300μm，同时解析硅基板 + 临时键合树脂多层厚度；支持最多 5 层膜层解析，输出厚度分布彩色 Mapping 云图。
产线集成能力：紧凑型机柜 500 (W)×500 (D)×1680 (H) mm；TCP/IP 通讯对接 Fab 工厂 MES、设备主机，数据自动上传；内置自动校准单元，长期产线稳定性高，满足高吞吐量量产节拍。
实际落地案例用途
案例 1：12 寸 TSV 图形晶圆薄化研磨制程
对象：Φ300mm TSV 嵌入式布线硅晶圆、临时键合 SOI 晶圆
用途：晶圆背面研磨减薄后全自动测量硅剩余厚度、键合树脂层厚度，输出整片厚度分布 Mapping，评估研磨均匀性，管控 DBG 超薄晶圆工艺。
案例 2：化合物半导体基板
对象：SiC、GaAs 12 寸大尺寸基板
用途：基板研磨抛光后的厚度分布自动检测。
案例 3：半导体先进封装
对象：临时键合晶圆、多层复合晶圆
用途：同时解析基板厚度、粘接树脂层多层厚度，产线批量来料检测。
可选配置
SF‑3 不同量程传感器模块切换；
高级 Mapping 分析软件包；
标准校准硅样片。
