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仪器介绍
TSUBOSAKA 壶坂电机平行光曝光装置LUV-1000 UV
曝光烘焙设备保证并行性
配备2千瓦超高压汞灯
通过专用电脑软件和快门控制器进行控制
面罩玻璃平面展示,玻璃间隙可调
高精度图案曝光是可能的。
暴露方法:接触距离
我们接受自定义,比如更改口罩尺寸
核心参数:
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 品牌 | TSUBOSAKA 壺坂電機(壶坂电机) |
| 型号 | LUV-1000 |
| 产品名称 | UV 平行光曝光装置(紫外露光装置) |
| 光源 | 2kW 超高压汞灯 |
| 中心波长 | 365nm(i 线),光谱范围 300~500nm |
| 总光通量 | 90000 lm |
| 灯泡平均寿命 | 500 小时(消耗件) |
| 有效照射面积 | 150 × 150 mm |
| 辐照度 | 30~40 mW/cm² |
| 照射均匀度 | 有效面内 ±5% 以内 |
| 准直半角 | 2.0°,平行紫外光束 |
| 控制系统 | 专用 PC 软件 + 快门控制器,控制曝光时间 |
| 工件功能 | 自动将掩膜玻璃与基板调平、间隙调整,可安装掩膜版做图形曝光 |
| 供电 | AC100~240V 50/60Hz |
产品详细介绍
LUV-1000 是壶坂电机平行光紫外曝光机,输出高平行度 365nm 紫外光,用于光刻图形曝光。
平行紫外光束,准直性好,曝光图形边缘锐利,减少衍射造成的线宽偏差;掩膜与基板可自动调平,保证整片曝光均匀。
搭载 2kW 超高压汞灯,大功率紫外输出,辐照度稳定;快门精准控制曝光时间,满足光刻胶感光工艺。
支持掩膜版(mask)图形转移曝光,可根据客户需求定制掩膜尺寸。
PC 上位机软件设定曝光参数,可保存多组曝光配方,适合研发小批量样品制作。
实际落地用途案例
MEMS、微流控芯片实验室
光刻胶图形曝光,微结构、微通道光刻制备,样品研发打样。
光学薄膜、光掩膜相关研发
薄膜光刻工艺验证,微小光学图案成型。
半导体、PCB、FPC 小样工艺开发
小基板光刻曝光,工艺条件摸索、来料工艺试验。
高校、研究院光学实验室
微纳加工、光刻教学实验。
可选配件
专用掩膜夹具、掩膜玻璃
替换超高压汞灯灯泡(耗材)
紫外照度监测探头
原厂辐照度校准证书