MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机（接触式光刻机）MA-60F
品牌：米卡萨/MIKASA
产地：日本
型号：MA-60F
400-616-7676转3323
仪器介绍
MIKASA 米卡萨掩膜对准曝光机（接触式光刻机）MA-60F
品牌：MIKASA（ミカサ株式会社，日本米卡萨）品名：MA-60F 接触式掩膜对准曝光机（Mask Aligner，6 英寸晶圆科研光刻设备）
日本 MIKASA 米卡萨 MA-60F 接触式有掩膜对准曝光机（Mask Aligner），科研级 6 英寸晶圆光刻设备，搭载 500W g/h/i-line 宽谱紫外光源，最小加工线宽 1μm，20 倍物镜下对准精度＜1.5μm，支持软接触、硬接触两种曝光模式。标配双视野对准显微镜、UV 累积光量计与防震台，支持 SU-8 厚胶与常规光刻胶图形制备。常搭配 MS-B200 匀胶机、ULVAC DA-60S 真空泵搭建光刻工艺平台，适用于高校微纳实验室、MEMS 器件、大面积微流控芯片、光学元件研发试样制备。
核心参数表
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 最大基板尺寸 | φ6 英寸晶圆，基板最大厚度 2mm |
| 最大掩膜 Mask 尺寸 | 6×6 英寸 |
| 曝光光源 | 500W 高压汞灯，g/h/i-line 宽谱紫外光 |
| 照度 | 14mW/cm² @405nm，照度均匀性＜±4.0% |
| 最小线宽 | 1μm（L&S） |
| 对准精度 | 20× 物镜条件下＜1.5μm |
| 曝光模式 | 软接触 / 硬接触 双模式切换 |
| 对准系统 | 双视野对准显微镜，4×/10×/20× 物镜可选；X/Y/θ/Z 四维精密微调 |
| 曝光控制 | 定时模式 0~999.9s；累积光量计模式 1~9999 计数，UV 累计光量计标配 |
| 标配附件 | 防震台、掩膜 / 基板真空吸附机构、间隙测量功能 |
| 公用配套 | 压缩空气 0.5MPa；氮气 0.5MPa；真空 - 0.08MPa（基板吸附，可搭配 ULVAC DA-60S 真空泵） |
| 电源 | AC100~110V，20A |
| 外形尺寸 | 1200(W) ×1450(H) ×900(D) mm |
| 整机重量 | 350 kg |
产品特点
6 英寸大基板科研级接触式光刻机，MA 系列里适配 6 寸晶圆型号，和 MA-20 为同系列，基板尺寸升级。
软 / 硬接触双曝光模式，硬接触适合高精度薄层光刻；软接触保护掩膜，适配 SU-8 厚胶高深宽比工艺。
内置 UV 累积光量监测，可按曝光能量控制，抵消汞灯光源衰减，保证光刻工艺重复性。
四维精密载台 + 双视野对准显微镜，掩膜与晶圆对位精度高，自带掩膜 - 晶圆间隙测量。
标配防震台，降低外界振动干扰，保障微纳图形加工精度。
实际应用案例
高校微纳实验室、科研院所 MEMS 器件、6 英寸硅片光刻制备；
大面积微流控芯片、柔性薄膜器件、光学光栅、传感器芯片研发；
厚胶 SU-8 光刻工艺，制备高深宽比微结构；
搭配MS-B200（8 寸匀胶机，也可选用 MS-B150），组成完整 6 英寸光刻工艺链路：
匀胶涂胶 → MA-60F 曝光 → 显影
