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核心参数
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应用领域
半导体、MEMS、微流控芯片、光学元件、高校微纳科研
产能
科研试样小批量,单批次 1 片,按工艺程序连续处理
仪器介绍
MIKASA 米卡萨自动显影装置(光刻显影机) M-2LF


首先需要澄清:M-2LF并非自动显影装置,而是MIKASA米卡萨旗下的高精度手动接触式光刻机,并非光刻显影机,这是该型号最核心的产品定位。
核心硬件参数
基板适配:最大支持4英寸晶圆,兼容100×100mm方形基板,支持定制异形基板夹具
曝光系统:搭载500W超高压汞灯,i线(365nm)曝光照度≥18mW/cm²,全工作面照度均匀性≤±3.5%,远优于同级别入门光刻机常规±5%的水平
对位系统:标配100倍双目对位显微镜,支持双视场同轴对位,对位精度可达±1μm,满足亚微米级微纳图形套刻需求
操作模式:支持软接触、硬接触、接近式三种曝光模式,可自定义接触压力,避免薄脆晶圆被压碎
安全设计:标配曝光超时自动切断光源、汞灯过热保护功能,延长光源使用寿命,整机适配Class100级洁净室使用要求
核心技术优势
长寿命汞灯模组设计,正常工况下光源使用寿命可达2000小时,远高于同级别国产机型1000小时的平均寿命
曝光光量实时闭环控制,支持定时曝光和累计光量计数双模式,避免因光源衰减导致的曝光剂量偏差,保障批次间图形线宽一致性
整机结构紧凑,桌面式安装无需额外改造实验室空间,AC220V常规市电即可直接上电运行,无需复杂配套气路、水路系统
国内某985高校微纳加工公共平台
该平台采购多台M-2LF用于本科生微纳光刻教学,通过预设标准曝光工艺模板,学生可快速完成光刻胶图形转移,最终在4英寸硅片上实现最小1μm线宽的稳定图形制备,设备连续运行3年无重大故障,教学场景下的图形良率稳定在90%以上。
某第三代半导体创业公司研发实验室
实验室使用M-2LF进行碳化硅器件的栅极光刻试样,选用软接触曝光模式,自定义低接触压力参数,避免薄脆碳化硅晶圆碎裂,最终实现2μm线宽栅极图形的稳定制备,批次间线宽偏差控制在5%以内,完全满足功率器件研发试样的工艺要求。
某光学研究院微纳结构制备实验室
该实验室使用M-2LF在玻璃基板上制备微纳光栅结构,利用接近式曝光模式控制掩模版与基板间隙在20μm,最终实现周期500nm的光栅图形均匀制备,图形衍射效率批次间偏差小于2%,满足光学器件研发试样需求。