搜索
400-616-7676转3323
核心参数
核心参数
应用领域
半导体、MEMS、微流控芯片、光学元件、高校微纳加工科研,光刻显影与湿法蚀刻
产能
科研试样小批量,单批次 1 片,单片连续喷淋处理
仪器介绍
MIKASA 米卡萨加压罐压送式显影蚀刻一体机 AD-3000



核心参数
| 项目 | 规格 |
|---|---|
| 最大基板 | φ1~12 英寸(最大 220×220mm 方形基板) |
| 处理方式 | 摆动双喷嘴喷雾喷淋,加压罐泵输送药液 |
| 转速范围 | 0~3000rpm |
| 工艺回路 | 显影液回路、DI 冲洗水、背面冲洗回路,3 路管路 |
| 程序 | 最多 48 步工序,可存储 10 组工艺配方,支持步骤复制 / 跳过 |
| 腔体材质 | 不锈钢防腐腔体,耐碱性显影液、蚀刻药液 |
| 安全联锁 | 舱盖门联锁、真空确认传感器、喷嘴超限限位保护 |
| 电源 | AC200V,三相 15A |
| 外形尺寸 | 720 (W) ×500 (H) ×520 (D) mm;开门总高 910mm |
| 整机重量 | 60 kg |
| 选配 | 药液温控模块、基板专用支架、加压输送组件 |
二合一设备:显影 + 湿法蚀刻,一套设备完成光刻后显影、薄膜湿法刻蚀,实验室小批量研发非常合适。
加压罐式药液供给,摆动双喷嘴,药液喷洒均匀,相比浸泡式药液消耗更少,图形均匀性好。
可编程多步工艺,可自由设置喷淋、冲洗、浸泡时长,配方一键调用,适配多种光刻胶(SU-8 厚胶、常规正胶负胶)。
真空吸盘,兼容硅片、玻璃、化合物半导体、薄膜等圆形 / 方形基板。
安全保护完善,开盖自动停机,防止药液喷溅。
高校微纳实验室完整光刻工艺:MS-B 匀胶机 → MA 系列曝光机 → AD-3000 显影蚀刻
MEMS 器件、微流控芯片、光学光栅、传感器芯片光刻胶显影、金属 / 介质薄膜湿法蚀刻
6/8/12 英寸以内科研试样,小批量微纳结构加工
基板适配:最大支持12英寸晶圆/220×220mm方形基板,兼容1~12英寸硅片、玻璃、化合物半导体等材质
旋转系统:AC伺服电机驱动,转速范围0~3000rpm,转速控制精度≤0.1%,启停抖动极小,薄晶圆不易碎裂
液路系统:标准配置3路液路(显影液、正面冲洗、背面冲洗),可扩展至最多3组独立显影液系统;采用加压罐压送给药,输出压力稳定,喷淋流量波动小
喷嘴配置:标配双摆动式喷淋喷嘴,喷嘴横向往复扫描角度、摆动速度可独立编程,药液覆盖均匀无死角
程序控制:支持48步工艺编辑,可存储10组完整工艺配方,自带步骤跳过、程序复制功能,LCD触控屏操作直观
整机规格:AC200V三相15A供电,开门状态下外形尺寸720W×910H×520D mm,整机重量60kg,适配常规洁净台台面摆放
安全联锁:标配真空吸附确认传感器、腔室门盖联锁、喷嘴移动超限限位器三重安全保护,防止飞片、撞机风险
腔体材质:接液主体采用SUS不锈钢材质,耐受TMAH碱性显影液、常规有机溶剂,无药液结晶残留污染问题
双工艺模式自由切换:同时支持Spray摆动喷淋显影和Puddle水坑显影两种主流工艺,喷淋模式适合厚光刻胶、大图形,水坑模式适配亚微米高精度薄胶显影,研发试样适配性极强
全流程自动化闭环:一键自动完成显影给药→正反面冲洗→高速旋干整套工序,无需人工转移基板,彻底消除人为操作带来的显影时间偏差、颗粒污染问题,批次间工艺一致性大幅提升
加压罐给药稳定性强:区别于内置泵给药的机型,压力罐压送药液输出压力无脉冲波动,显影速率重复性误差控制在3%以内,保障大尺寸晶圆整片显影均匀性
工艺拓展能力丰富:可选配显影液恒温控制系统,将显影液温度波动控制在±0.5℃以内,完全规避光刻显影速率对温度敏感的痛点;支持定制各类异形基板专用载台,适配特殊试样需求
黄光实验室友好设计:整机为台式紧凑型结构,无需改造实验室空间即可直接放置在Class100级洁净台内运行,接液腔体光滑无死角,废液导流设计避免反流二次污染基板
高校微纳加工公共教学平台:搭配同品牌旋涂机、接触式光刻机组成完整的12英寸黄光工艺链路,用于本科生微纳光刻教学实验,设备操作门槛低、故障率远低于同级别国产机型,高频次教学使用场景下仍能长期稳定运行。
第三代半导体功率器件研发实验室:用于碳化硅、氮化镓晶圆的光刻后显影工序,利用其低抖动伺服旋台特性,避免薄脆化合物半导体晶圆在工艺过程中碎裂,保障2μm以下栅极图形的显影良率。
MEMS传感器创业公司研发线:适配多规格小批量传感器芯片的快速研发试样,可快速切换不同尺寸基板载台,1分钟内完成不同工艺配方调用,大幅缩短微纳结构显影工序的试样周期。
光学微纳光栅制备实验室:利用Puddle水坑显影模式,在玻璃基板上实现周期500nm以下微纳光栅图形的均匀显影,图形边缘粗糙度控制在50nm以内,满足高精度光学器件研发的工艺要求。