大日本科研DNK全自动掩膜对准曝光机MA‑4301ML
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仪器介绍
大日本科研DNK全自动掩膜对准曝光机MA‑4301ML
主要特长
使用独创的高速图像处理技术，实现了wafer和掩膜的高精度对位。
搭载自动掩膜更换机，可支持掩膜存放库。
搭载非接触予对位系统（PREALIGNER），实现了在不损伤基板的情况下的高精度基板送入。
使用独自的平行调整机构，高精度的控制掩膜和wafer间的近接间隙。
搭载独创的镜面光学系统爆光灯房（LAMP HOUSE），实现了照射面内的均匀性以及高照度。
主要规格
| MA-4301ML | |
|---|---|
| Wafer尺寸 | Ø200ｍｍ／Ø300ｍｍ |
| 节拍时间 | 32sec/wafer |
| 对位精度 | 正面对位精度 ： ±1μm 背面对位精度 ： ±1.5μm |
| GAP设定范围 | 1～200μm |
| 曝光方式 | 近接/软接触/硬接触/真空接触 |
| 本体尺寸 | W2600×D2300×H2350mm |
MA‑4301ML 是 MA‑4301M 升级款，L 代表 Large，支持最大 12 英寸 (300mm) 晶圆，是 DNK 面向功率半导体、先进封装的量产级掩膜对准曝光设备 全称：MA‑4301ML 全自动掩膜对准紫外曝光装置（Mask Aligner）
一、核心技术规格
| 项目 | MA‑4301ML 参数 |
|---|---|
| 可处理晶圆 | Φ200mm (8 英寸) / Φ300mm (12 英寸) 硅片、碳化硅、氮化镓、玻璃基板 |
| 对位精度 | 正面峰值搜索对位：±1μm；选配背面对位：±1.5μm |
| 曝光模式 | 硬接触 / 软接触 / 近接曝光 / 真空接触 4 种模式 |
| 掩膜基板间隙 GAP | 1～200μm，伺服电机调节，调节分辨率 1μm |
| 生产节拍 | 32 秒 / 片 |
| 光源 | i-line 超高压水银灯（500W/1kW/2kW 可选），可升级 UV LED 光源 |
| 晶圆传输 | 全自动非接触预对位，晶圆盒 Loader/Unloader，可选双载台，每侧最多 2 个晶圆盒 |
| 选配模块 | 自动掩膜库（最多 10 片掩膜自动切换）、基板 / 掩膜温控冷却系统、IR 红外背面对位、基板破裂检测、MES 对接接口 |
| 适用基材 | Si、SiC、GaN、玻璃、陶瓷等脆性 / 薄型基板 |
二、产品核心特点
同时兼容 8 寸 & 12 寸晶圆，设备柔性强MA‑4301M 仅支持最大 8 寸；MA‑4301ML 可切换 8 英寸、12 英寸两种规格晶圆产线，满足半导体企业扩产从 200mm 升级至 300mm 的需求，无需更换整机。
DNK 自研高速图像对位算法峰值搜索自动对准标记，多层结构套刻稳定性高；支持红外背面对位，适合双面光刻工艺（MEMS、功率器件）。
四模式曝光工艺，保护脆性外延片近接曝光模式掩膜与晶圆保持间隙，避免 SiC/GaN 薄晶圆压碎划伤；硬接触模式可实现更高图形分辨率，根据产品工艺自由切换。
全自动晶圆上下料 + 可选自动掩膜库非接触预对位，不触碰晶圆有效区域，降低颗粒污染与崩边风险；选配自动掩膜存储单元，多品种产品混线生产，减少人工换掩膜停机时间。
镜面反射式光学灯房曝光面照度均匀性优异，整片晶圆光刻胶图形线宽一致性稳定；基板台与掩膜可选温控冷却模块，抑制热胀冷缩带来的套刻偏差，满足工厂量产品质追溯。
三、行业应用领域
第三代半导体功率器件：12 寸 SiC、GaN 晶圆光刻工艺；IGBT、MOSFET、射频器件制造；
MEMS 传感器：8/12 寸压力传感器、加速度传感器双面套刻量产；
先进封装：微凸块、TSV、光学封装基板图形转移；
微光学元件：大尺寸玻璃基板微结构、光栅、光学窗口制造；
薄膜无源器件：陶瓷基板、热敏元件、薄膜电阻电容中试量产。
