国内代理大日本科研DNK无掩膜直写曝光装置MX‑1201
品牌：大日本科研 DNK
产地：日本
型号：MX-1201
400-616-7676转3323
核心参数
分辨率
0.488 μm
光源
UV 固态光源
光源波长
405 nm
光强均匀性
±5%
曝光面积
200 × 200 mm
仪器介绍
国内代理大日本科研DNK无掩膜直写曝光装置MX‑1201
主要特长
能够用于研究开发、试作、小批量生产等的直描曝光。
能够对应半导体、电子零件、屏幕遮罩、金属面具、高端PCB、高密度封装件、MEMS、FPD等的曝光。
由于在光刻工艺中不需要掩膜，因而可以最大限度地降低开发成本和缩短市场供应时间。
此外,还可以根据客户需求,提供相应的装置构造。
主要规格
| 型式 | MX-1201 | MX-1201E | MX-1205 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 单引擎 | 双引擎 | ||||||||
| 最小线幅 (※1) | [μm] | 5 | 3 | 2 | 1 | ||||
| 数据分辨率 | [μm] | 0.488 | 0.25 | 0.1 | 0.05 | ||||
| 最大基板尺寸 | [mm] | 200 x 200 | 200 x 200 | 100 x 100 | |||||
| 有效曝光范围 | [mm] | 200 x 200 | 200 x 200 | 100 x 100 | |||||
| 激光主波长 | [nm] | 405 | 375 | 405 + 375 | 375 | 405 | 375 | 375 | |
| 曝光扫描速度 | [mm/s] | 43.94 | 22.5 | 9 | 4.5 | ||||
| 节拍时间 | [s,min] | 180 [s] | 145 [s] | 320 [s] | 16 [min] | 27 [min] | |||
| 最大曝光量 | [mJ/c㎡] | 245 | 70 | 245 + 70 | 70 | 460 | 135 | 50 | 100 |
MX 系列和前面 MA 系列本质区别：MA 系列是有掩膜光刻机（需要物理掩膜版）；MX‑1201 是无掩膜数字直写曝光机，不需要制作掩膜，电脑直接导入 CAD 图形进行曝光，主打研发、样品打样、多品种小批量试制。 全称：MX‑1201 无掩膜紫外描画曝光装置
一、核心技术规格
| 项目 | MX‑1201 参数 |
|---|---|
| 最小线宽 | 5μm（受光刻胶、工艺条件影响） |
| 数据分辨率 | 0.488 μm |
| 最大基板尺寸 | 200 × 200 mm |
| 有效曝光区域 | 200 × 200 mm |
| 曝光光源波长 | 405 nm（UV） |
| 曝光扫描速度 | 43.9 mm/s |
| 光学引擎 | 单引擎 |
| 基板载台 | 高精度 XYθ 运动平台，支持自动对位 |
| 图形输入方式 | 直接导入 CAD/GDSII 等矢量文件，无需掩膜版 |
| 选配 | 自动上下片、真空吸附载台、环境腔 |
二、产品核心特点
无需掩膜版，数字直写不用花钱开掩膜，修改图形直接改电脑文件，新产品研发、打样迭代速度快，极大节省掩膜制作成本与交期，非常适合多品种、小批量试样。
200×200mm 大曝光幅面可兼容 6 英寸晶圆、玻璃基板、PCB、封装基板等样品。
DNK Point Of Array 高速描画技术保证图形边缘锐利，图形精度稳定，支持厚胶、薄胶多种光刻胶曝光工艺。
软件操作简单导入设计文件，设置曝光能量、对位标记，一键启动曝光；自带图形编辑、预览、工艺参数保存功能。
三、行业应用领域
MEMS 研发试制：各类传感器、微流控芯片样品开发；
先进封装：封装基板、微凸块、芯片载板打样；
PCB 与高密度互连基板：高频板、薄基板微小线路研发；
微光学元件：光栅、微透镜阵列、光学结构试样；
高校 / 科研院所实验室：半导体工艺教学、新工艺开发。
