进口大日本科研DNK专用掩膜对准曝光装置MUM 系列
品牌：大日本科研 DNK
产地：日本
型号：MUM 系列
400-616-7676转3323
仪器介绍
进口大日本科研DNK专用掩膜对准曝光装置MUM 系列
主要特长
采用独自的镜面・镜头光学系统,实现全面均匀的照射。
配备有可设定非接触・面内均一间隙的间隙传感器和对应多层曝光的显微镜、X・Y・θ轴对位台的对位系统。
采用Moving UV mask法(使用Piezo Positioning Stage,使掩膜在曝光中微细移动)能够控制厚膜光刻胶的侧壁倾斜角度,形成三维微细构造体。
主要规格
| MUM系列 | ||
|---|---|---|
| 掩膜尺寸 | Max 9″ x 9″ x t3.0 mm | |
| 基板尺寸 | Max Φ8″(Wafer) | |
| 光源 | 超高压水银灯：500W or 1kW | |
| 外观尺寸及重量 | 本体尺寸 | W2120 x D1305 x H1850 mm |
| 本体重量 | 640kg | |
※基板尺寸和水银灯瓦数及特殊规格可商洽
产品核心特点
Moving UV mask 动态掩膜移动技术（MUM 核心卖点）曝光过程中压电载台带动掩膜微小移动，控制曝光能量分布，专门用来做厚光刻胶的斜面、曲面、三维立体微结构（MEMS、微流控），普通 MA 掩膜机只能做垂直侧壁图形。
自带间隙传感器，精准设定掩膜与基板非接触间隙；搭载 X/Y/θ 高精度对位台，支持多层套刻对位。
厚胶工艺适配，光刻胶可达几十微米级别，做出倾斜侧壁、半球型微结构。
基础规格表
| 项目 | MUM 系列 |
|---|---|
| 掩膜最大尺寸 | 9″ × 9″，厚度最大 3.0mm |
| 最大基板 | Φ8 英寸晶圆 |
| 光源 | 超高压水银灯，500W / 1kW 可选 |
| 外形尺寸 | W2120 × D1305 × H1850 mm |
| 重量 | 640kg |
行业用途
MEMS 传感器：加速度、压力传感器三维结构制备
微流控芯片、微透镜阵列、光学元件
厚胶光刻工艺，需要倾斜侧壁、曲面立体结构的样品开发与小批量生产
