授权代理商大日本科研DNK近接式掩膜曝光装置MA‑5501ML
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仪器介绍
授权代理商大日本科研DNK近接式掩膜曝光装置MA‑5501ML
主要特长
能够进行节拍时间约20秒(标准规格机，对位容许值设定为0.5μm时。不含曝光时间。)的高速曝光处理。
利用直读式间隙传感器与独自的控制系统,能够高速度和高精度地设定掩膜与基板间的近接间隙 。
可配置严格控制处理部位温度环境的温控机房。为了防止因热而引起的基板伸缩,还可选用基板台温度调控系统。
可选择配置基板台温度控制系统及掩膜冷却系统，以防止掩膜及玻璃基板因温度差而引起的伸缩。(选购项)
能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库
一、完整技术参数
| 项目 | 参数 |
|---|---|
| 曝光模式 | 接近式（近接曝光） |
| 分辨率 | 10μm |
| 光源 | 超高压水银灯（2kW /3.5kW /5kW 可选） |
| 光源波长 | i-line 365nm |
| 光强均匀性 | ±5% |
| 曝光面积 | 370 × 470 mm |
| 基板最大尺寸 | 370 × 470mm |
| 对位方式 | 非接触预对位 + 自动同轴对位，支持 IR 背面对位 |
| 对位节拍 | 标准机 0.5μm 容许精度，对位时间约 20 秒（不含曝光） |
| 本体外形 | W2400 × D2480 × H2290 mm |
| 本体重量 | 1500kg（不含光源、冷水机、洁净外罩） |
| 选配功能 | 基板载台温控、掩膜冷却、掩膜库（最多存放 5 张掩膜）、局部恒温环境腔 |
二、产品核心介绍
MA-5501ML 是 DNK 专为G1 代平板显示、大面积厚膜光刻开发的非接触近接曝光设备，区别于小尺寸 MA-4301M（8 寸晶圆），主打玻璃大基板光刻。
间隙传感核心技术搭载 DNK 自研直读式光学间隙传感器，可以快速、高精度设定掩膜与基板之间的非接触间隙，避免掩膜直接接触基板，防止掩膜划伤、基板损伤，尤其适合薄脆玻璃基板、柔性基板。间隙参数全闭环控制，整片基板曝光均匀性稳定。
高精度自动对位系统同轴视觉自动对位，支持正面标记对位 + 红外背面对位，多层套刻能力强；自动预对位，人工干预少，适合连续小批量生产。可兼容透明玻璃基板、不透明基板的对位需求。
大功率 i-line 汞灯光源可选 2/3.5/5kW i-line (365nm) 紫外光源，照度高，适配厚光刻胶、干膜、防焊油墨等多种感光材料；选配掩膜冷却系统，抑制掩膜受热变形，保障长时间生产图形尺寸稳定。
可扩展自动化可选掩膜储存库，最多装载 5 张掩膜，支持多产品切换生产；选配载台温控单元，解决大面积玻璃因温度伸缩带来的套刻偏差，适合高精度器件量产。
适用工艺：近接式非接触曝光；不推荐硬接触曝光（该机型设计重心是大基板保护）。
三、行业案例分析
案例 1：触控面板（TP）厂商，G1 玻璃基板 ITO 图形量产
客户痛点：370×470mm 玻璃基板，薄玻璃易划伤，需要制作 ITO 导电线路，多品种小批量，频繁更换掩膜；如果用接触式曝光，掩膜容易污染划伤玻璃，良率低。方案：MA-5501ML，近接模式，搭配 5kW 光源，选配掩膜库。收益
非接触曝光，杜绝基板和掩膜直接摩擦，掩膜寿命提升 3 倍，减少掩膜采购成本；
自动对位节拍稳定，单基板对位 20 秒，满足每日几百片中小批量产能；
整面曝光均匀性 ±5%，ITO 线路线宽稳定控制 10μm 级别，满足触控电极图形要求。
案例 2：柔性 FPC / 封装载板企业，干膜防焊曝光
客户痛点：大尺寸 FPC 柔性基板，基板容易形变，厚干膜光刻，需要大面积一次性曝光；多型号产品，换掩膜频繁。方案：MA-5501ML，近接曝光模式。收益
一次性整片曝光，无需步进拼接，没有拼接接缝缺陷；
间隙闭环控制，柔性基板轻微形变也可以保证图形转移一致性；
兼容防焊干膜、线路干膜，一套设备可兼顾线路层、阻焊层曝光。
案例 3：厚膜电路 / 陶瓷电子元件（加热头、传感器）试制 + 小批量
客户痛点：大面积陶瓷基板厚胶光刻，厚感光浆料，需要高能量均匀紫外曝光，多层套刻。方案：MA-5501ML，选配基板载台温控。收益：载台控温消除陶瓷基板热胀冷缩，多层套刻精度稳定；大功率光源穿透厚感光浆料，图形侧壁形貌可控。
案例 4：高校 / 研究院 FPD、微光学研发平台
客户痛点：研发试制，基板尺寸多变，玻璃、薄膜、陶瓷多种基材，需要大曝光幅面，兼顾工艺开发与少量试样。方案：基础版 MA-5501ML（3.5kW 光源）。收益：支持多种基板材质，可快速调整间隙、曝光能量，适合新工艺打样；相比投影式步进光刻机，采购成本低很多，非常适合科研平台。
