代理大日本科研 DNK直立型近接掩膜曝光装置MA-6701ML

代理大日本科研 DNK直立型近接掩膜曝光装置MA-6701ML

主要特长

直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单，安定性高。

采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。

完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。

为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。(选购项)

最大基板尺寸为1,200mm×1,400mm。通过独自的光学系统实现了均匀的一次性曝光。

能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库

一、核心参数

二、产品详细介绍

MA-6701ML 属于 DNK 全新直立式近接曝光系列（MA6xxx 系列），区别 MA5xxx 卧式机型，掩膜台、基板台垂直布置，解决大尺寸掩膜 / 玻璃基板因自重下垂弯曲带来的图形失真，大幅提升大面积基板图形转印精度，主打 G3 代基板的显示、触控、柔性器件中小批量量产。

核心技术亮点

1. 直立式主体结构（最大特色）传统卧式设备，大掩膜和玻璃基板平放，自重会产生挠度弯曲，造成图形畸变；MA-6701ML 直立布局，不需要补偿自重形变，设备稳定性更高，图形倾斜角降低至老机型一半，提升大面积套刻精度。

2. 本体与光源分离式设计光源单元独立隔离，光源热量不会传导至主机腔体，抑制掩膜、基板因温升产生伸缩变形，长时间连续生产，尺寸稳定性更好。可选购掩膜冷却、基板载台温控，进一步消除温度带来的套刻偏差。

3. 闭环光学间隙传感系统搭载 DNK 自研间隙传感器，精准控制掩膜与基板非接触间隙，避免掩膜擦伤基板、掩膜污染，适合薄玻璃、PI 柔性薄膜等易损伤基板；整片 550×650mm 全域曝光能量均匀稳定。

4. 大功率 8kW i-line 汞灯光源高照度输出，适配厚光刻胶、干膜、彩色滤光片感光材料；支持多层套刻，IR 红外背面对位，透明玻璃基板正反面标记均可识别。支持选配掩膜储存库，最多 5 张掩膜自动切换，多产品快速换型。

工艺定位：以近接非接触曝光为主，可选配接触式曝光模块；一次性整面全域曝光，无步进拼接接缝缺陷。 局限：近接曝光原理，分辨率上限 12μm，不适合亚微米超高精细线路。

三、行业案例分析

案例 1：G3 触控面板厂商，ITO 导电图形量产

客户痛点：550×650mm 大尺寸薄玻璃触控基板，卧式曝光设备基板自重下垂，图形边缘线宽偏差大；多品种小批量，频繁更换掩膜，希望减少掩膜划伤。方案：MA-6701ML，8kW 光源 + 掩膜库选配项目收益

1. 直立结构消除基板自重弯曲，整面 ITO 电极线宽一致性显著提升；

2. 非接触近接曝光，掩膜寿命提升，减少掩膜采购成本；

3. 掩膜库自动切换掩膜，多型号产品快速换产，提升稼动率。

案例 2：OLED 彩膜 CF 中试产线，BM 黑矩阵、RGB 彩色层

客户痛点：G3 玻璃基板，多层套刻工艺，温度变化容易造成基板伸缩，套刻偏移；厚感光彩胶需要高能量紫外曝光。方案：MA-6701ML + 基板载台温控 + 掩膜冷却收益

1. 温控系统抑制玻璃热胀冷缩，多层 BM/RGB 套刻精度稳定；

2. 8kW 大功率光源充分激发厚彩胶，色彩均匀；

3. 整片一次性曝光，不存在步进机拼接缝不良。

案例 3：大面积柔性 FPC / 光学微结构薄膜

客户痛点：大尺寸 PI 柔性基板，基板容易翘曲，干膜线路 + 阻焊双层曝光，大面积图形一致性要求高。方案：MA-6701ML 基础量产机型收益直立结构降低翘曲基板带来的图形变形风险；间隙可动态设定，兼容线路干膜、防焊干膜，一套设备完成两道光刻工序。

案例 4：显示研究院 G3 工艺开发平台

客户痛点：新工艺研发，基板材质多样（玻璃、陶瓷、柔性薄膜），G3 幅面打样与中试，需要稳定大面积曝光设备。方案：基础版 MA-6701ML收益工艺参数可调，间隙、曝光能量灵活设置；相比步进投影光刻机采购成本更低，适合中大尺寸显示新工艺验证。