进口大日本科研 DNK无掩膜曝光装置MX-1205

进口大日本科研 DNK无掩膜曝光装置MX-1205

一、核心参数

二、产品详细介绍

MX-1205 属于 DNK MX 系列DMD 式无掩膜光刻系统，和前面 MX-150I（MX 系列小机型）为同一条产品线。核心原理依靠 DMD 数字微镜芯片，直接把 CAD/GDS 版图投射到光刻胶上，不需要光掩膜版，改图只需要电脑修改文件，不用重新制掩膜，非常适合新工艺研发、多品种小批量试样。

核心技术亮点

1. DMD 数字动态成像，免掩膜传统 MA/MUM 系列都必须制作掩膜才能曝光；MX-1205 直接导入 GDSII/CAD，随时修改图形，样品打样周期大幅缩短，省去掩膜采购与制作成本。

2. 高分辨率，对位精度优异最小线宽可达 2μm，多层套刻对位精度 ±0.15μm；支持正面标记对位、红外背面对位，透明 / 不透明基板都可实现多层套刻，适配 MEMS、微流控、光子学器件。

3. 双档扫描速度9mm/s 高速模式用于大面积粗工艺打样；4.5mm/s 高精度模式用于精细微结构图形，兼顾效率与分辨率。单次 100×100mm，可通过载台移动拼接，最大支持 500×500mm 大基板。

4. 365nm i-line UV LED 光源LED 紫外光源，启停快，功耗低，寿命优于传统汞灯；曝光能量数字化可控，可精准控制光刻胶曝光剂量，厚胶 / 薄胶工艺都适配。

工艺定位：研发打样、新工艺开发、多品种小批量试制；不适合大批量量产（对比 MA 系列掩膜曝光机，大批量生产效率偏低）。

三、行业案例分析

案例 1：MEMS 研究院，传感器结构工艺开发

客户痛点：新产品迭代快，每次改版都要做新掩膜，掩膜费用高、交期长；多种厚胶工艺，需要频繁修改微结构图形。方案：MX-1205收益

1. 无需光掩膜，改图直接电脑修改 GDS 文件，试样周期从数周缩短至 1 天；

2. ±0.15μm 套刻精度，满足多层 MEMS 结构套刻；

3. 支持厚光刻胶，可制备三维立体微结构。

案例 2：微流控芯片研发企业

客户痛点：微通道结构反复迭代，样品数量少，不同芯片版图差异大，不适合开掩膜。方案：MX-1205 高精度模式（4.5mm/s）收益快速迭代微流道设计；玻璃 / PDMS 基板均可加工，单次 100mm 幅面，小芯片一次多片曝光。

案例 3：高校微纳实验室、光学器件研发

客户痛点：课题多、图形种类杂，学生开发多种微光学结构（微透镜、衍射光栅），预算有限，不能频繁采购掩膜。方案：MX-1205 基础版收益一台设备支撑多个课题，不同图形无需掩膜；可加工硅、玻璃、陶瓷多种基材，是科研平台常用无掩膜光刻设备。

案例 4：半导体封装工艺研发

客户痛点：封装基板重新设计打样，多版本图形验证，试样数量少。方案：MX-1205收益快速验证线路图形，降低前期研发成本；可配合薄干膜、液态光刻胶工艺。