大日本科研 DNK直立式近接掩膜曝光装置MA-6801ML

大日本科研 DNK直立式近接掩膜曝光装置MA-6801ML

主要特长

直立配置掩膜台/基板台。不需补正由掩膜/掩膜台/基板台的自身重量而造成的弯曲变形,构造简单，安定性高。

采用新型光学系统,使影响图形转印精度的倾斜角降低至过去的一半以下(与本公司装置相比),可实现更高精度的图形转印。

完全分离本体与光源部。光源的热量传递不到本体,改善了本体部的热量分布水准。

为了防止因掩膜及玻璃基板的温度差造成的伸缩变形,可选择基板台温度控制系统及掩膜冷却系统。(选购项)

最大基板尺寸为1,200mm×1,400mm。通过独自的光学系统实现了均匀的一次性曝光。

能够装载存放5张掩膜的掩膜存放库

产品详细介绍

MA-6801ML 属于 DNK MA6xxx 直立型近接曝光设备，核心解决卧式机型大基板自重下垂变形的痛点，掩膜与基板垂直立式布置，无需补偿基板自重挠度带来的图形畸变，适合 650×750mm 大尺寸薄玻璃基板光刻制程，广泛用于 LCD、OLED 彩色滤光片、大尺寸触控屏、大面积光学薄膜。

核心技术亮点

1. 直立式垂直结构（最大核心优势）传统 MA5xxx 卧式机型，大玻璃基板平放会因自重产生弯曲，造成图形转印畸变；MA-6801ML 掩膜、基板采用垂直直立安装，从根源消除基板自重挠度形变，大面积基板图形均匀度、套刻稳定性显著提升，薄型大尺寸玻璃基板加工优势突出.

2. DNK 自研光学闭环间隙传感系统搭载直读式光学间隙传感器，高速、高精度设定掩膜与基板微米级间隙，以非接触近接曝光为主，避免掩膜直接触碰基板，减少基板划伤、掩膜磨损与颗粒污染；间隙全程闭环控制，整片 650×750mm 幅面曝光能量均匀稳定，可按需切换硬接触 / 软接触曝光模式。

3. 低倾角平行光学系统 + 8kW 大功率 i-line 光源独特低倾斜角光学设计，图形转印偏差降低；8kW i-line 365nm 高压汞灯，高照度输出，适配厚感光彩胶、干膜、液态厚光刻胶；选配掩膜冷却 + 基板载台温控，抑制连续生产中掩膜、玻璃基板热胀冷缩，保障多层套刻长期稳定。光源与主机分离式结构，减少光源发热对整机精度的影响。

4. 高速自动对位，模块化产线集成非接触边缘预对位 + 高速图像处理同轴对位，支持 IR 红外背面对位，透明 / 不透明基板均可稳定多层套刻；可搭载 5 工位掩膜库，多产品快速切换掩膜；支持外接 Load port 自动上下料，接入无尘自动化产线，配套 D-Net 生产追溯系统，满足中试与量产车间需求。

工艺特点：整片基板一次性全域曝光，不存在步进式曝光拼接缝不良。 局限：近接曝光原理，分辨率上限 12μm，不适合亚微米超精细半导体线路；改版需要重新制作光掩膜；整机体积大，对无尘车间空间承重有要求。

行业案例分析

案例 1：G3 OLED 彩色滤光片 CF 量产｜BM 黑矩阵、RGB 彩色层曝光

客户痛点：650×750mm 大尺寸超薄玻璃基板，卧式放置会自重弯曲，造成 BM/RGB 多层套刻偏移；厚彩胶需要高能量紫外曝光，连续生产温度波动会带来图形尺寸漂移。选用配置：MA-6801ML，8kW 光源 + 掩膜冷却 + 基板载台温控项目收益

1. 直立结构消除基板自重弯曲，整片 650×750mm 图形无畸变，多层 BM、RGB、OC 保护层套刻精度稳定；

2. 双温控方案，抑制掩膜与基板热变形，大批量生产色彩均匀，针孔、色差不良率下降；

3. 一次性整面曝光，无步进拼接缺陷，满足 CF 洁净制程颗粒管控要求。

案例 2：大尺寸触控面板厂商｜ITO 导电图形中试量产

客户痛点：G3 薄玻璃触控基板，大面积 ITO 导电线路，多品种中小批量，频繁换型，需要保护掩膜，保证整面电极线宽一致性。选用配置：MA-6801ML + 5 工位掩膜库项目收益

1. 垂直直立结构，薄大基板不会下垂，ITO 线路边缘轮廓一致，断线、线宽波动不良降低；

2. 非接触近接曝光，掩膜磨损减少，掩膜使用寿命提升，耗材成本下降；

3. 掩膜库自动切换掩膜，多型号触控产品快速换产，设备稼动率提升。

案例 3：大面积光学薄膜、柔性 PI 薄膜微结构生产

客户痛点：大尺寸光学膜、柔性 PI 基板，基板易翘曲，需要大面积一次性曝光，制作微结构光栅、增透膜图形。选用配置：MA-6801ML 基础量产机型项目收益间隙参数可动态调节，适配翘曲柔性基板；直立结构减少薄膜自重拉伸形变；整面一次性曝光，薄膜边缘图形无畸变，适合光学微结构中试生产。

案例 4：新型显示工艺研究院 G3 工艺验证平台

客户痛点：研发验证 G3 尺寸 LCD、OLED、电子纸新工艺，基板材质多样（玻璃、陶瓷、PI 薄膜），兼顾外协试样、新工艺验证。选用配置：MA-6801ML 基础版项目收益曝光剂量、掩膜基板间隙工艺参数可灵活调整；直立结构解决大基板挠度难题；一台设备支撑多种新型显示前期工艺开发验证。